Der europäische Chiphersteller STMicroelectronics wird sich mit dem chinesischen Unternehmen Sanan Optoelectronics zusammenschließen, um in Chongqing eine Fabrik zu errichten, die die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen sowie nach industriellen Strom- und Energieanwendungen befriedigen soll.

Die Kosten des Joint-Ventures werden sich voraussichtlich auf rund 3,2 Milliarden US-Dollar belaufen, einschließlich Investitionen in Höhe von etwa 2,4 Milliarden US-Dollar in den nächsten fünf Jahren. Die Finanzierung erfolgt durch Beiträge von STMicroelectronics und dem chinesischen Halbleiterunternehmen, sowie durch Unterstützung der lokalen Regierung und durch Kredite, teilen die Unternehmen mit.

Das Joint-Venture belegt das Engagement von STMicroelectronics in China, dem weltweit größten Markt für Halbleiter und für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb (New Energy Vehicle, NEV) und widerlegt nach Ansicht von Experten die Legenden von einer Entkopplung Chinas im Chipsektor.

STMicroelectronics teilte am Mittwoch in einer Erklärung mit, dass das neue Werk Siliziumkarbid- oder SiC-Bauelemente herstellen wird und die Produktion im vierten Quartal 2025 anlaufen soll. Die vollständige Fertigstellung des Produktionsstandorts wird für 2028 erwartet.

Chips mit SiC-Transistoren werden häufig in Elektrofahrzeugen eingesetzt, da sie höheren Temperaturen standhalten, eine längere Lebensdauer haben und energieeffizienter sind als Halbleiter mit Silizium-Leistungstransistoren. Elektroautohersteller wie Tesla, BYD und NIO verwenden SiC-Bauteile in einigen Modellen, erläutern Experten.

Parallel dazu wird Sanan Optoelectronics eine neue 200-mm-SiC-Substrat-Fertigungsanlage bauen und separat betreiben, um den Bedarf des Joint-Ventures zu decken, wobei ein eigenes SiC-Substratverfahren zum Einsatz kommen soll.

„China bewegt sich schnell in Richtung Elektrifizierung von Automobil- und Industrieprodukten, und dies ist ein Markt, in dem ST bereits gut mit vielen engagierten Kundenprogrammen etabliert ist. Die Einrichtung einer Fertigungsanlage mit einem wichtigen lokalen Partner ist der effizienteste Weg, um die steigende Nachfrage unserer chinesischen Kunden zu bedienen“, erläuterte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics, in einer Mitteilung.

Die Kombination der zukünftigen Substrat-Produktionsanlage von Sanan Optoelectronics mit dem Front-End-Joint-Venture und der bestehenden Back-End-Anlage von STMicroelectronics in Shenzhen in der Provinz Guangdong wird es dem Unternehmen dem CEO zufolge ermöglichen, seinen chinesischen Kunden eine vollständig vertikal integrierte SiC-Wertschöpfungskette anzubieten.

„Die Gründung dieses Joint-Ventures wird eine wichtige Triebkraft für die breite Einführung von SiC-Bauelementen auf dem chinesischen Markt sein“, urteilt Simon Lin, CEO von Sanan Optoelectronics.

Das Projekts steht noch unter dem Vorbehalt behördlicher Genehmigung.

Xiangli Bin, Vizeminister für Wissenschaft und Technologie, erklärte in einer Rede im Mai, dass sein Ministerium immer großen Wert auf technologische Innovation und industrielle Entwicklung von Halbleitern der dritten Generation gelegt hat. Sie würden eine gute Leistung aufweisen und einen riesigen Markt für NEV, Informationskommunikation, intelligente Netze und andere Bereiche haben, ist der Vizeminister überzeugt.

Bai Ming, stellvertretender Direktor für internationale Marktforschung an der Chinesischen Akademie für internationalen Handel und wirtschaftliche Zusammenarbeit, erklärte, der Joint-Venture-Plan sei ein Indikator dafür, dass China trotz der Versuche Washingtons, die Entkopplung in diesem Schlüsselsektor zu forcieren, weiterhin für ausländische Chiphersteller attraktiv sei.